Железо

За использование FinFET-транзисторов Samsung должна уплатить штраф в $400 млн

Американское подразделение KAIST IP со штаб-квартирой в Далласе подало иск против Samsung о нарушении правил лицензирования передовых технологий. По данным источников, в Федеральном суде Техаса жюри присяжных вынесло вердикт о виновности компании Samsung в патентом споре с южнокорейским институтом KAIST (Korea Advanced Institute of Science and Technology). В частности, Samsung якобы незаконно воспользовалась разработками института в области создания вертикальных затворов транзисторов (FinFET).

Структура типичного FinFET транзистора (WikiChip)

Структура типичного FinFET транзистора (WikiChip)

Вместе с Samsung первоначально обвинения были выдвинуты против компаний GlobalFoundries и Qualcomm. По мнению жюри, Samsung незаконно и умышленно использовала разработки KAIST, за что должна выплатить институту $400 млн. По мнению жюри, GlobalFoundries и Qualcomm в данном случае считаются невиновными. Первая была виновна в лицензировании технологии производства с использованием FinFET у компании Samsung, а вторая заказывала продукцию у южнокорейского полупроводникового гиганта.

Представители института заявляли, что Samsung в своё время считала технологию FinFET пустой тратой времени и заинтересовалась ею только тогда, когда компания Intel запатентовала собственные разработки в этой области и начала распространять лицензии на использование вертикальных транзисторных структур. Иск против Samsung был подан в декабре 2016 года.

https://ru.wikipedia.org

https://ru.wikipedia.org

Так, одной из первых опытный выпуск FinFET-структур в 2002 году начала компания AMD на базе центра Калифорнийского университета в Беркли (привет из прошлого компании GlobalFoundries). Нам всё это кажется высосанным из пальца, поскольку технологиями FinFET плотно занимались все производители ещё с начала «нулевых» годов. Компания TSMC также с группой учёных в том же Калифорнийском университете создавала свои FinFET-структуры. В этом же году на конференции IEDM о FinFET-транзисторах из трёх рёбер рассказала компания Intel, а IBM сделала доклад на тему вертикальных транзисторных каналов. Собственно, Samsung собирается подать апелляцию на судебное решение, принятое в Техасе. Компания Samsung позже включилась в этот процесс, но она активно работала с исследователями IBM, и ей не нужны были разработки KAIST.

Теги
Показать больше

Похожие статьи

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Кнопка «Наверх»
Закрыть