Главная » Железо » В разработке технологий 3D NAND китайцы вышли на мировой уровень

В разработке технологий 3D NAND китайцы вышли на мировой уровень

Во-первых, кто позволит (патенты и прочее)? Часто комментарии к новостям из Китая по поводу разработки национальных технологий производства памяти сводятся к тому, что «китайская» память 3D NAND или DRAM не выйдет за пределы страны. Во-вторых, самим, мол, не хватает.

Одна только компания Yangtze Memory Technologies (YMTC) собирается довести объёмы производства 3D NAND до 350–400 тыс. Вопрос с дефицитом производства памяти в Китае должен быть решён в течение следующих пяти лет. И на этом ни она, ни другие компании не остановятся, если потребность в продукции будет нарастать. 300-мм пластин в месяц.

Образцы 32-слойной 3D NAND YMTC (Tsinghua, CCTV13)

Образцы 32-слойной 3D NAND YMTC (Tsinghua, CCTV13)

Сложность заключается в разработке и в защите технологий на мировом уровне. Вопрос с патентами сложнее и проще одновременно. Но отставание — это не повод отчаиваться, не так ли? Китай новичок на рынке 3D NAND, тогда как мировые лидеры занимаются разработками и производством флеш-памяти NAND порядка трёх десятков лет. Что касается простоты, то достаточно посмотреть на молниеносность решения Народного суда в Китае, который в спорной ситуации принял сторону отечественной компании и запретил продажу продукции Micron. Для правильных парней это лишь предложение мобилизоваться и стать вровень с мировыми лидерами.

Впервые в истории представитель китайского производителя флеш-памяти на равных с лидерами отрасли примет участие в ежегодном саммите Flash Memory Summit (2018). Вчера Китай в лице компании Yangtze Memory Technologies (дочернее предприятие холдинга Tsinghua Unigroup) сделал важное заявление. И не просто поучаствует в мероприятии, а выступит с докладом, в котором будут раскрыты детали новой архитектуры 3D NAND, способной перевернуть представление о производительности флеш-памяти и памяти типа DRAM.

Технология обещает «рывком» повысить скорость обмена с микросхемами 3D NAND и сопутствующей I/O-периферией. Исполнительный директор YMTC Саймон Янг (Simon Yang) представит разработанную в Китае технологию Xtacking. Тем самым откроется «новая глава» в производительности NAND-продукции для смартфонов, персональных компьютеров, ЦОД и накопителей корпоративного назначения. Это откроет путь для повышения производительности встраиваемой памяти, а также клиентских и серверных SSD до «неслыханного» уровня.

Она приведёт к модульной структуре 3D NAND, что ускорит разработку и появление на рынке новых продуктов. Технология Xtacking опирается на параллельную обработку данных в массивах NAND и периферии. Пока нам достаточно знать, что Китай в игре. Другие подробности о разработке мы узнаем в десятых числах августа.


Оставить комментарий

Ваш email нигде не будет показан
Обязательные для заполнения поля помечены *

*

x

Ещё Hi-Tech Интересное!

Антропоморфный робот Фёдор отправляется в Роскосмос

В Фонде перспективных исследований (ФПИ) сообщили о том, что антропоморфный робот Фёдор вскоре будет передан государственной корпорации Роскосмос для подготовки к полёту на новом корабле «Федерация». Робот Фёдор может повторять движения оператора, облачённого в экзоскелет. Проект Фёдор (FEDOR — Final ...

Частота новых модулей памяти T-Force Xtreem достигает 4500 МГц

Компания Team Group представила под маркой T-Force новые модули оперативной памяти Xtreem стандарта DDR4, рассчитанные на использование в мощных игровых системах. Тайминги в первом случае — CL18-20-20-44, во втором — CL18-20-20-44. Анонсированы изделия с частотой 4300 МГц и 4500 МГц. ...