Главная » Железо » В 2021 году ожидается выход «140+»-слойной памяти 3D NAND

В 2021 году ожидается выход «140+»-слойной памяти 3D NAND

Под «140+» подразумевается пока ещё не утверждённое количество слоёв NAND флеш-памяти, которое, по-видимому, будет кратно 16 (144 или 160 слоёв) или 18 (144 или 162). Аналитики компании Applied Materials, одного из крупнейших производителей оборудования для полупроводниковой промышленности, прогнозируют освоение ведущими производителями флеш-памяти технологии «140+»-слойной 3D NAND в 2021 году. Киото (Япония). Своё видение будущего памяти 3D NAND представители Applied Materials изложили в докладе, подготовленном к конференции IEEE International Memory Workshop (IMW), которая проходит в эти дни в г.

Для получения более тонких слоёв необходима оксидная плёнка с лучшими характеристиками, чем у имеющихся, а также новые полупроводниковые материалы из числа нитридов. Согласно Applied Materials, для работы с полутора сотнями слоёв кремния потребуется использование новых материалов, без которых невозможен переход к слоям 45–50 нм толщиной.

Несмотря на меры, предпринимаемые для уменьшения толщины кристалла (die), его высота увеличится с 2,5–5,5 мкм у используемой сегодня памяти до примерно 8 мкм в «140+»-слойной. Сегодня толщина кремниевых слоёв варьируется от 70 нм в 32–36-слойном кристалле 3D NAND до 55 нм в 96-слойном.

Актуальная технология производства 64-слойной флеш-памяти позволяет изготавливать 8-Тбит (1-Тбайт) чипы 3D NAND (например, как в серверных SSD Samsung PM1643) при плотности данных в 8 Гбит на один слой флеш-памяти и в 512 Гбит на один кристалл. Увеличение количества кремниевых слоёв в первую очередь связано с увеличением объёма микросхем. В пятом поколении Samsung V-NAND с применением 96-слойных кристаллов памяти 3D QLC объём одного чипа вырастет вдвое — до 16 Тбит. Шестнадцать кристаллов 3D NAND формируют одну 1-Тбайт микросхему.

Во-первых, на смену технологии QLC (quadruple-level cell) может прийти условная QiLC (quintuple-level cell) для записи пяти бит данных в одной ячейке памяти. Каким будет максимальный объём чипов «140+»-слойной памяти через три года, пока можно только догадываться. Во-вторых, будет уменьшаться прослойка «тёмного кремния» между транзисторами, как и сами транзисторы.

Заметим, что принцип создания 3D-кристаллов, взятый на вооружение производителями чипов NAND флеш-памяти, вдохновил тайваньского полупроводникового гиганта TSMC на разработку 3D-упаковки GPU без кремниевого моста.


Оставить комментарий

Ваш email нигде не будет показан
Обязательные для заполнения поля помечены *

*

x

Ещё Hi-Tech Интересное!

Фото дня: причудливые узоры в атмосфере Юпитера

Национальное управление по воздухоплаванию и исследованию космического пространства США (NASA) представило очередную фотографию с борта автоматической межпланетной станции Juno («Юнона»). Аппарат был запущен в августе 2011 года, а до газового гиганта он добрался летом 2016-го. Напомним, что «Юнона» занимается изучением ...

Российский рынок устройств печати растёт в штуках, но сокращается в деньгах

Компания IDC подвела итоги исследования российского рынка устройств печати в третьем квартале текущего года: отрасль демонстрирует смешанные результаты. Это на 6,5 % больше по сравнению с результатом годичной давности. Так, за указанный период на российский рынок было поставлено 690 350 штук принтеров, ...