Главная » Железо » В 2021 году ожидается выход «140+»-слойной памяти 3D NAND

В 2021 году ожидается выход «140+»-слойной памяти 3D NAND

Под «140+» подразумевается пока ещё не утверждённое количество слоёв NAND флеш-памяти, которое, по-видимому, будет кратно 16 (144 или 160 слоёв) или 18 (144 или 162). Аналитики компании Applied Materials, одного из крупнейших производителей оборудования для полупроводниковой промышленности, прогнозируют освоение ведущими производителями флеш-памяти технологии «140+»-слойной 3D NAND в 2021 году. Киото (Япония). Своё видение будущего памяти 3D NAND представители Applied Materials изложили в докладе, подготовленном к конференции IEEE International Memory Workshop (IMW), которая проходит в эти дни в г.

Для получения более тонких слоёв необходима оксидная плёнка с лучшими характеристиками, чем у имеющихся, а также новые полупроводниковые материалы из числа нитридов. Согласно Applied Materials, для работы с полутора сотнями слоёв кремния потребуется использование новых материалов, без которых невозможен переход к слоям 45–50 нм толщиной.

Несмотря на меры, предпринимаемые для уменьшения толщины кристалла (die), его высота увеличится с 2,5–5,5 мкм у используемой сегодня памяти до примерно 8 мкм в «140+»-слойной. Сегодня толщина кремниевых слоёв варьируется от 70 нм в 32–36-слойном кристалле 3D NAND до 55 нм в 96-слойном.

Актуальная технология производства 64-слойной флеш-памяти позволяет изготавливать 8-Тбит (1-Тбайт) чипы 3D NAND (например, как в серверных SSD Samsung PM1643) при плотности данных в 8 Гбит на один слой флеш-памяти и в 512 Гбит на один кристалл. Увеличение количества кремниевых слоёв в первую очередь связано с увеличением объёма микросхем. В пятом поколении Samsung V-NAND с применением 96-слойных кристаллов памяти 3D QLC объём одного чипа вырастет вдвое — до 16 Тбит. Шестнадцать кристаллов 3D NAND формируют одну 1-Тбайт микросхему.

Во-первых, на смену технологии QLC (quadruple-level cell) может прийти условная QiLC (quintuple-level cell) для записи пяти бит данных в одной ячейке памяти. Каким будет максимальный объём чипов «140+»-слойной памяти через три года, пока можно только догадываться. Во-вторых, будет уменьшаться прослойка «тёмного кремния» между транзисторами, как и сами транзисторы.

Заметим, что принцип создания 3D-кристаллов, взятый на вооружение производителями чипов NAND флеш-памяти, вдохновил тайваньского полупроводникового гиганта TSMC на разработку 3D-упаковки GPU без кремниевого моста.


Оставить комментарий

Ваш email нигде не будет показан
Обязательные для заполнения поля помечены *

*

x

Ещё Hi-Tech Интересное!

Смарт-динамик Samsung Galaxy Home выйдет в марте

Глава мобильного подразделения Samsung Диджей Кох (DJ Koh) обозначил сроки выхода «умного» динамика Galaxy Home, который был впервые продемонстрирован в августе прошлого года. Фотографии CNET За распознавание голосовых команд в любых условиях отвечает массив из восьми микрофонов. Напомним, что устройство ...

Ввод узлового модуля «Причал» в состав МКС откладывается

Об этом сообщает сетевое издание «РИА Новости» со ссылкой на заявления гендиректора «Главкосмоса» Дмитрия Лоскутова. Узловой модуль «Причал» станет частью российского сегмента Международной космической станции (МКС) не ранее 2022 года. В настоящее время российская часть орбитального комплекса включает функционально-грузовой блок ...