Главная » Железо » Toshiba разработала 96-слойную память BiCS Flash

Toshiba разработала 96-слойную память BiCS Flash

Компания Toshiba Memory Corporation объявила о создании образцов передовой 96-слойной флеш-памяти BiCS Flash 3D.

Она предусматривает хранение четырёх бит информации в одной ячейке. В изделиях применяется технология QLC, или Quad-Level Cell.

Reuters

При этом упаковка из 16 таких чипов обеспечит вместимость в 2,66 Тбайт. Отмечается, что ёмкость одного чипа составляет 1,33 Тбит.

Прототипы новых изделий будут демонстрироваться на мероприятии 2018 Flash Memory Summit, которое пройдёт в Санта-Кларе (Калифорния, США) с 6 по 9 августа.

Массовое производство планируется развернуть в следующем году. Toshiba Memory начнёт поставлять образцы памяти производителям твердотельных накопителей и разработчикам SSD-контроллеров в первых числах сентября.

Предприятие расположится на сервере Японии в префектуре Иватэ вблизи города Китаками (Kitakami). Отметим, что в 2020 году корпорация Toshiba Memory намерена ввести в строй новый завод, который поможет нарастить объём выпуска 3D NAND. Завод будет построен с использованием передовых технологий. 


Оставить комментарий

Ваш email нигде не будет показан
Обязательные для заполнения поля помечены *

*

x

Ещё Hi-Tech Интересное!

Новая статья: Первые впечатления от Samsung Galaxy S10, S10+ и S10e: троецарствие

Да, Apple находится в состоянии, напоминающем кризис идей, но уж больно мощно напирают китайцы с Huawei во главе. Для Samsung это будет еще один тяжелый год – позиции компании на рынке смартфонов уже не выглядят такими уж непоколебимыми. Получилось, на ...

Минимум сюрпризов: официальный анонс трёх смартфонов Samsung Galaxy S10

На этот раз корейский гигант решил повторить подход Apple и выпустил сразу три новых аппарата: самый габаритный и продвинутый Galaxy S10+, стандартный S10 и несколько упрощённый S10e. Что ж, вот мы и дождались мероприятия Samsung Unpacked, а вместе с ним ...