Toshiba разработала 96-слойную память BiCS Flash
Компания Toshiba Memory Corporation объявила о создании образцов передовой 96-слойной флеш-памяти BiCS Flash 3D.
Она предусматривает хранение четырёх бит информации в одной ячейке. В изделиях применяется технология QLC, или Quad-Level Cell.
При этом упаковка из 16 таких чипов обеспечит вместимость в 2,66 Тбайт. Отмечается, что ёмкость одного чипа составляет 1,33 Тбит.
Прототипы новых изделий будут демонстрироваться на мероприятии 2018 Flash Memory Summit, которое пройдёт в Санта-Кларе (Калифорния, США) с 6 по 9 августа.
Массовое производство планируется развернуть в следующем году. Toshiba Memory начнёт поставлять образцы памяти производителям твердотельных накопителей и разработчикам SSD-контроллеров в первых числах сентября.
Предприятие расположится на сервере Японии в префектуре Иватэ вблизи города Китаками (Kitakami). Отметим, что в 2020 году корпорация Toshiba Memory намерена ввести в строй новый завод, который поможет нарастить объём выпуска 3D NAND. Завод будет построен с использованием передовых технологий.