Железо

Toshiba похвасталась самой плотной 3D NAND в индустрии

Мероприятие это интересное и мы попытаемся рассказать о самых значимых событиях конференции. С 17 по 21 февраля в Сан-Франциско проходит ежегодная конференция International Solid State Circuits Conference (ISSCC 2019). Эти производственные партнёры сообщили подробности о подготовленной к массовому производству 96-слойной 1,33-Тбит памяти 3D NAND QLC (запись четырёх бит в ячейку), а также о разработке 128-слойной памяти 3D NAND TLC (запись трёх бит в ячейку). Начнём мы с совместного доклада компаний Toshiba Memory и Western Digital.

Основные характеристки 1,33-Тбит 3D NAND QLC Toshiba (Toshiba Memory)

Основные характеристики 1,33-Тбит 3D NAND QLC Toshiba (Toshiba Memory)

Плотность записи 96-слойного чипа 3D NAND QLC ёмкостью 1,33 Тбит составила 8,5 Гбит/мм2. Рекордсменом по плотности стала память с записью четырёх бит в ячейку. Площадь чипа 3D NAND QLC равняется 158,4 мм2. Это без малого в полтора раза больше (если точно ― на 40 %), чем в случае 512-Гбит 3D NAND TLC. В схемотехнику памяти были внесены изменения, которые позволили снизить потребление. Но рекорд в плотности ― это ещё не всё. Также разработчики сократили время программирования ячеек памяти на 18 %, что ускорило работу со страницами и немного снизило латентность при работе с памятью. В частности, была реализована схема питания со смещением, что снизило порог рабочего напряжения и дало возможность уменьшить напряжение питания.

Новая (дробная) организация массивов ячеек обещает вдвое повысить скорость работы 3D NAND (Toshiba Memory)

Новая (дробная) организация массивов ячеек обещает вдвое повысить скорость работы 3D NAND (Toshiba Memory)

Пожалуй, это первое публичное упоминание о продвижении в разработке 128-слойной 3D NAND TLC. Другой доклад Toshiba Memory и Western Digital раскрыл детали о 128-слойной 3D NAND TLC. Массив ячеек на кристалле 128-слойной памяти разбит на четыре части (плана). Ёмкость 128-слойного чипа равна 512 Гбит, что при площади кристалла 66 мм2 соответствует плотности записи 7,8 Гбит/мм2. Например, двухплановая организация обеспечивает скорость записи на уровне 66 Мбайт/с, а четырёхплановая ― 132 Мбайт/с. Такая организация обеспечит серьёзный рост в скорости записи.

Пример оргназиции кристалла флеш-памяти: кристалл, два региона ячеек (плана), каждый план состоит из блоков (из 18 в примере), блоки состоят из страниц

Пример организации кристалла флеш-памяти: кристалл, два размежёванных массива ячеек (плана), каждый план состоит из блоков (из 18, как в примере), блоки состоят из страниц (в примере из 10)

Теги
Показать больше

Похожие статьи

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Кнопка «Наверх»
Закрыть