Главная » Железо » Toshiba Memory приступила к строительству нового завода по выпуску 3D NAND

Toshiba Memory приступила к строительству нового завода по выпуску 3D NAND

Завод будет построен на новой для Toshiba площадке на севере Японии в префектуре Иватэ вблизи города Китаками (Kitakami). В полном соответствии с намеченными ранее планами компания Toshiba Memory Corporation приступила к строительству нового завода для производства памяти 3D NAND (торговая марка BiCS FLASH). Завод в Китаками дополнит мощности предприятия компании в Йоккаичи. Возведение цехов и подготовка инфраструктуры будут завершены осенью 2019 года. В Toshiba Memory ожидают неизменно растущий спрос на флеш-память и SSD и желают подготовиться к требованиям растущего рынка.

Цифровое изображение будущего завода Toshiba Memory в Китаками (Toshiba Memory)

Цифровое изображение будущего завода Toshiba Memory в Китаками (Toshiba Memory)

Пока же компания обещает создать сейсмоустойчивое сооружение с использованием всех современных энергосберегающих технологий. Объёмы производства и необходимые инвестиции для закупки оборудования для производства микросхем будут определены позже на основании складывающейся рыночной ситуации. Управлять производственными процессами будет искусственный интеллект, что обещает поднять производительность до максимально возможного уровня.

Американский производитель жёстких дисков и SSD уже является партнёром Toshiba Memory и, скорее всего, создаст с ней ещё одно совместное предприятие уже на базе нового завода. Для привлечения инвестиций со стороны в Toshiba Memory приступили к обсуждению условий расширения сотрудничества с компанией Western Digital.

SSD Toshiba XG6 на 96-слойной 3D NAND TLC

SSD Toshiba XG6 на 96-слойной 3D NAND TLC

В недавнем прошлом Samsung вышла вперёд с разработкой многослойной NAND (3D NAND). Вместе с компанией Samsung японская Toshiba Memory много лет делят первые места на рынке флеш-памяти. Например, на днях Toshiba сообщила о начале поставок SSD на 96-слойной 3D NAND TLC (256-Гбит или 512-Гбит, не уточняется). На данном этапе Toshiba Memory стремится догнать конкурента и демонстрирует прогресс в разработке и производстве передовых микросхем. Новый завод Toshiba Memory начнёт производство с 96-слойной или более сложной памяти. Компания Samsung пока ничем таким похвастаться не может, хотя тоже приступила к производству 90-слойной 3D NAND ёмкостью 256 Гбит. Фундамент для этого уже заложен.


Оставить комментарий

Ваш email нигде не будет показан
Обязательные для заполнения поля помечены *

*

x

Ещё Hi-Tech Интересное!

Встроенная графика Intel 11-го поколения оказалась быстрее AMD Vega 10 в Ashes of the Singularity

Известный источник утечек с псевдонимом Tum Apisak обнаружил в базе данных бенчмарка игры Ashes of the Singularity результаты тестирования встроенной графики Intel нового поколения. Вслед за подробным описанием архитектуры будущей встроенной графики Intel 11-го поколения (Gen11) в Сети появилась новая ...

Начальный уровень: два новых смартфона Vivo показались в бенчмарке

В базе данных Geekbench появилась информация о двух новых смартфонах китайской компании Vivo, которые должны пополнить ассортимент недорогих аппаратов. Наблюдатели полагают, что на коммерческом рынке эти смартфоны войдут в семейство Vivo V-series или Y-series. Устройства имеют обозначения Vivo 1901 и ...