Железо

SK Hynix заявила о разработке 16-Гбит DDR5-5200 для производства с 10-нм нормами

Это тот же самый новейший техпроцесс компании, с помощью которого она начинает производство 8-Гбит кристаллов DDR4. Компания SK Hynix — второй в мире по величине производитель памяти типа DRAM — сообщила о разработке 16-Гбит кристаллов DRAM DDR5 с использованием второго поколения техпроцесса класса 10 нм (1Ynm). Это лишь заготовка на будущее, которая ждёт своего часа. Забегая вперёд, отметим, что к производству памяти DDR5 компания SK Hynix приступит только в 2020 году, поскольку данный стандарт DRAM пока ещё не принят комитетом JEDEC и не поддерживается разработчиками контроллеров и процессоров.

Поэтому компании SK Hynix, как и остальным лидерам рынка DRAM, не нужно спешить с внедрением в производство этого поколения памяти. Согласно прогнозу аналитиков компании IDC, например, спрос на DDR5 начнёт появляться только в 2020 году, что обещает довести в 2021 году долю DDR5 в мировом объёме производства памяти до 25 % и до 44 % в 2022 году. Но начнётся всё с завоевания серверного рынка, для которого DDR5 преподнесёт возможность расширить банки памяти и увеличить скорость передачи данных от модулей к процессорам и обратно.

При этом скорость обмена выросла на 60 % или до 5200 Мбит/с, если сравнивать с одной из быстрейших сегодня памятью DDR4-3200. Согласно требованиям черновой редакции стандарта DDR5, питание чипов снижено с 1,2 В до 1,1 В, что обещает снизить потребление памяти на 30 % по сравнению с памятью DDR4. Традиционно нелепый пример, да, но даёт представление о масштабах изменений. Совокупно скорость обмена с модулем памяти DDR5 вырастет до 41,6 Гбайт/с — это 11 фильмов с качеством Full HD, переданных за 1 секунду, каждый из которых будет «весить» 3,7 Гбайт. Столь быстрая память, уверены в компании, придаст новый импульс развитию платформ ИИ, машинного обучения и работам с массивами данных.

Кстати, сигнальные интерфейсы пришлось доработать также по той причине, что модули памяти DDR5 будут использовать вдвое больше банков (32 вместо 16), чем память DDR4. Для снижения ошибок чтения разработчикам пришлось внести много изменений в схемотехнику памяти. Также компания заявляет, что механизмы коррекции ECC теперь встроены в чипы памяти. Это также потребовало вести согласованные работы с производителями модулей RDIMM (Registered Dual In-line Memory Module) и UDIMM (Unbuffered DIMM) для серверных платформ. Всё надёжнее и надёжнее, что вызвано также увеличением скорости обмена.

Теги
Показать больше

Похожие статьи

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Кнопка «Наверх»
Закрыть