Железо

SK Hynix успешно создала свою флеш-память «4D NAND»

Теперь же сообщается, что производитель успешно создал данный тип памяти и готовится начать его массовое производство. В августе этого года компания SK Hynix анонсировала выпуск якобы нового типа флеш-памяти под названием «4D NAND».

При этом площадь микросхемы оказалась на 30 % меньше по сравнению с 72-слойной микросхемой той же ёмкости. Сообщается, что компания создала 96-слойные микросхемы памяти «4D NAND» ёмкостью 512 Гбит, то есть 64 Гбайт. Также отмечается возросшая на 25 и 30 % производительность при чтении и записи соответственно.

В следующем же году компания собирается начать производство подобных микросхем объёмом 1 Тбит. До конца года компания SK Hynix планирует начать массовое производство данных 92-слойных микросхем ёмкостью 512 Гбит. Также сообщается о планах по выпуску клиентских твердотельных накопителей объёмом до 1 Тбайт на базе собственных контроллеров SK Hynix.

Новая память компании SK Hynix будет сочетать две важные особенности. Технология «4D NAND» по своей сути является скорее немного улучшенной версией уже давно используемой 3D NAND, нежели принципиально новым подходом к созданию твердотельной памяти. Во-вторых, периферийные цепи, управляющие массивом ячеек, будут перенесены под сами ячейки (Periphery Under Cell, PUC). Во-первых, она будет опираться на ячейку с ловушкой заряда (Charge Trap Flash, CTF).

Что касается переноса управляющей периферии под ячейки, то подобная технология, но под названием (CMOS under the array, CuA), давно используется Intel и Micron. Однако стоит отметить, что SK Hynix всегда выпускала память 3D NAND с ячейкой с ловушкой заряда, как и большинство других производителей. Так что чего-то действительно инновационного в памяти «4D NAND» от SK Hynix на самом деле нет. А в скором времени и Samsung начнёт применять технологию CuA при производстве памяти 3D NAND.

Теги
Показать больше

Похожие статьи

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Кнопка «Наверх»
Закрыть