Железо

SK Hynix представила «4D NAND»

На годовом саммите SK Hynix представила ни много ни мало, а целую «4D NAND». Как и другие производители флеш-памяти компания SK Hynix не могла пропустить мероприятие Flash Memory Summit 2018. Где же южнокорейский производитель нашёл четвёртое измерение?

https://www.tomshardware.com

https://www.tomshardware.com

Но, обо всём по порядку. Увы, детальное изучение новой в кавычках разработки SK Hynix указывает на маркетинговую уловку — представленная технология не может и не будет иметь решающих преимуществ по сравнению с уже представленными и даже годами реализованными технологиями производства 3D NAND компаниями Samsung, Intel, Micron и Toshiba.

https://www.tomshardware.com

https://www.tomshardware.com

Во-первых, она будет опираться на ячейку с ловушкой заряда (Charge Trap Flash, CTF). Память «4D NAND» компании SK Hynix будет сочетать две ключевые особенности. Отметим, SK Hynix всегда выпускала 3D NAND с ячейкой с ловушкой заряда, как и все остальные компании за исключением Micron и Intel (подробнее о разнице в организации ячеек по этой ссылке). Во-вторых, управляющие массивом NAND-ячеек периферийные цепи будут перенесены с одной с массивом плоскости кристалла под ячейки — как бы в «подвал». В 2019 году 3D NAND с ячейкой FG будет выпускать только Intel. Но даже Micron со следующего поколения 3D NAND откажется от ячейки с плавающим затвором FG в пользу CTF. Иначе говоря, 4D NAND в этом плане новшеством давно не является.

https://www.tomshardware.com

https://www.tomshardware.com

Компании Intel и Micron давно перенесли периферийные цепи под массив ячеек и называют эту технологию CMOS under the array (CuA). По поводу технологии Periphery Under Cell (PUC), которая в представлении SK Hynix и является тем самым «четвёртым измерением», можно сказать следующее. Дальнейшим развитием CuA представляется китайская технология Xtacking компании YMTC. Со следующего года технологию CuA при производстве памяти 3D NAND начнёт применять Samsung. Вот где четвёртое измерение! Китайцы и вовсе предлагают выпускать периферию и логику на отдельных пластинах, изготовленных по разным техпроцессам, и потом состыковывать логику и массив NAND. Но SK Hynix решила отобрать славу первооткрывателя себе.

https://www.tomshardware.com

https://www.tomshardware.com

Итак, образцы 96-слойной 3D NAND TLC ёмкостью 512 Гбит (с этого момента — 4D NAND) появятся в четвёртом квартале 2018 года. Что же, пусть 4D NAND оказалась маркетинговой пустышкой, компания SK Hynix рассказала на саммите кое-что по-настоящему интересное, а именно, поделилась планами выпуска новинок на рынок. Образцы 96-слойной 4D NAND QLC ёмкостью 1 Тбит появятся во второй половине 2019 года. Образцы 96-слойной 4D NAND TLC ёмкостью 1 Тбит выйдут в первой половине 2019 года. Да, в таких случаях остаётся полагаться только на маркетинг. Тем самым можно резюмировать, что по выпуску передовой памяти 3D NAND от своих основных конкурентов SK Hynix будет отставать на срок до одного года и даже больше.

Теги
Показать больше

Похожие статьи

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Кнопка «Наверх»
Закрыть