Поскольку конкуренты и партнёры всё чаще подталкивают к производству микросхем памяти типа DDR5, южнокорейская компания SK Hynix не смогла долго молчать о своих инициативах в этой сфере. Она начинает серийный выпуск DDR5 в этом году, а в перспективе рассчитывает покорить рубеж DDR5-8400.
Источник изображения: SK Hynix
SK Hynix на страницах корпоративного сайта не без гордости напомнила, что ещё в ноябре 2018 года разработала микросхему DDR5 на 16 Гбит, и её позже сертифицировал комитет JEDEC. В свежей публикации компания поведала о преимуществах и некоторых характеристиках памяти типа DDR5, которую она начнёт серийно выпускать в текущем году.
Источник изображения: SK Hynix
При проектировании SK Hynix закладывала достижение режима DDR5-4800, как минимум, но сам стандарт позволит компании создавать память до DDR5-8400 включительно. Существенное увеличение пропускной способности станет не единственным преимуществом памяти типа DDR5. Количество банков памяти будет увеличено с 16 до 32 штук. За одну передачу будет осуществляться до шестнадцати операций чтения-записи вместо прежних восьми. Функция Same Bank Refresh позволит системе сохранять доступ к остальным банкам памяти в момент, когда один из них обновляет содержимое. Наконец, будет внедрена функция коррекции ошибок непосредственно на уровне кристалла, а также функция подавления помех.
Номинальное напряжение будет снижено с 1,2 В до 1,1 В, что ожидаемо позволит снизить удельное энергопотребление на величину до 20 % в пересчёте на пропускную способность по сравнению с DDR4. Компания SK Hynix начнёт выпуск микросхем DDR5 ёмкостью 16 Гбит по литографической технологии 10-нм класса. Со временем она предложит монолитные кристаллы DDR5 на 24 Гбит. По прогнозам IDC, уже в 2021 году 22 % спроса будут приходиться на память типа DDR5, а через год показатель вырастет до 43 %.
Источник:
