Главная » Железо » SK Hynix: DDR5 уже готова, переходим к разработке DDR6-памяти

SK Hynix: DDR5 уже готова, переходим к разработке DDR6-памяти

Несмотря на то, что появление DDR5 SDRAM ожидается лишь в 2020 году, некоторое время тому назад компания SK Hynix, занимающее место второго по величине производителя DRAM, приступила к разработкам следующего поколения перспективной памяти, DDR6 SDRAM. Технологии динамической памяти продолжают своё развитие. Но не стоит ждать быстрых перемен: как утверждают представители  SK Hynix, разработка будет завершена в лучшем случае в течение ближайших 5–6 лет. Как ожидается, такая память сможет обеспечить достижение скоростей до 12 Гбит/c на контакт.

«Мы обсуждаем несколько концепций пост-DDR5. Более того, пока у разработчиков даже нет единого мнения о том, какую архитектуру должна получить память следующего за DDR5 поколения. Одна из них заключается в поддержании нынешней тенденции увеличения скорости передачи данных, а другая — в объединении технологий DRAM с технологиями систем на чипе», — рассказал Ким Донг-Кюн (Kim Dong-kyun), научный сотрудник по разработке DRAM в SK Hynix.

Таким образом, 16-гигабитные чипы DDR5 смогут предложить на первом этапе скорость на уровне 5,2 Гбит/с на контакт, что примерно на 60 % выше пропускной способности, обеспечиваемой DDR4 SDRAM текущего поколения. Напомним, в конце 2018 года SK Hynix объявила о завершении разработки первых чипов DDR5 SDRAM, которые работают на эффективной частоте 5200 МГц при напряжении 1,1 В. Главная сложность в разработке DDR5 касается необходимости понизить зашумлённость полезного сигнала во время высокоскоростной передачи данных. Но и это не предел, к 2022 году SK Hynix планирует довести эффективную частоту чипов DDR5 до 6400 МГц. Ожидается, что к 2022 году чипы DDR5 SDRAM будут занимать порядка 45 % рынка. Для решения этой проблемы внедрена технология многофазной синхронизации, а также улучшения протоколов коррекции ошибок.

С этим типом DRAM могут быть связаны серьёзные изменения архитектуры всей подсистемы памяти, поэтому и разработка, и последующее распространение DDR6 будет протекать заметно медленнее, чем в случае с DDR5. В то же время принятие DDR6 SDRAM заведомо окажется гораздо более сложным процессом. Иными словами, следующее за DDR5 поколение памяти представляется достаточно туманной перспективой, и сроки её появления могут отодвинуться далеко за 2024 год. Кроме того, индустрия пока не пришла к единому мнению относительно того, что конкретно должна представлять собой DDR6.


Оставить комментарий

Ваш email нигде не будет показан
Обязательные для заполнения поля помечены *

*

x

Ещё Hi-Tech Интересное!

Масса официальных изображений и информации о Xiaomi Mi 9

Однако ещё до официального анонса китайская компания раскрыла почти всё, что публике может быть интересно относительно Mi 9, включая специальную версию Explorer Edition, — конечно, за исключением данных о цене и времени выхода на рынок. Xiaomi решила бросить прямой вызов Samsung, ...

Смартфон Samsung Galaxy M30 с тройной камерой дебютирует 27 февраля

Компания Samsung распространила тизеры, говорящие о том, что новый смартфон среднего уровня Galaxy M30 дебютирует в предпоследний день календарной зимы — 27 февраля. Разрешение панели — 2340 × 1080 точек (формат Full HD+), соотношение сторон — 19,5:9. Аппарат получит экран Super AMOLED ...