Железо

Samsung приступила к массовому производству 10-нм «автомобильной» памяти LPDDR4X

Если до этого компания выпускала для электроники машин память 20-нм класса с поддержкой стандарта «Automotive Grade 2», то новая память перешла на техпроцесс класса 10 нм и, что более важно, соответствует требованиям стандарта «Automotive Grade 1». Компания Samsung Electronics сообщила, что началось массовое производство улучшенной памяти типа LPDDR4X для использования в автомобильной электронике. Это означает, что верхняя граница допустимой рабочей температуры памяти поднята со 105 °C до 125 °C.

Samsung

Автомобильная память LPDDR4X даже при нагреве до 125 °C работает на скорости 4266 Мбит/с, что на 14 % быстрее возможностей 8-Гбит чипов LPDDR4 DRAM, выполненных с использованием 20-нм техпроцесса. Увеличение допустимой рабочей температуры не сказалось на производительности памяти. Впрочем, именно в этом заключается основное отличие LPDDR4X от LPDDR4. Кроме этого память LPDDR4X на 30 % энергоэффективнее памяти LPDDR4 DRAM. Последняя работает при напряжении питания 1,1 В, а первая при напряжении 0,6 В.

Этому поспособствуют как выдающиеся скоростные характеристики новых чипов, таки и их высочайшая надёжность и устойчивость к высоким рабочим температурам. В компании Samsung рассчитывают, что новая память LPDDR4X поощрит разработчиков создавать развитую автомобильную электронику. Компания Micron, например, тоже продвигает в автомобили память LPDDR4X, но она также уверена, что в автомобилях будет востребована и другой тип памяти — GDDR6. Компания Samsung отметим, не единственная, кто стремится продвинуть фирменную память в автомобильную электронику.

Теги
Показать больше

Похожие статьи

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Кнопка «Наверх»
Закрыть