Главная » Железо » Samsung подтвердила планы использовать сканеры EUV для выпуска DRAM

Samsung подтвердила планы использовать сканеры EUV для выпуска DRAM

Ранее о такой возможности уже сообщалось, но теперь прозвучал официальный комментарий Samsung. Как сообщает интернет-ресурс News1 Korea, ответственный руководитель компании Samsung Electronics на днях подтвердил намерение производителя выпускать микросхемы оперативной памяти типа DRAM с использованием сканеров диапазона EUV (13,5 нм). Впоследствии с помощью EUV-проекции компания планирует также выпускать 17-нм память. С помощью EUV-проекции предполагается выпускать 16-нм DRAM с началом коммерческого производства к 2020 году.

Первый коммерческий сканер ASML для EUV-литографии (NXE:3300B)

Первый коммерческий сканер ASML для EUV-литографии (NXE:3300B)

Компания уже приступила к производству DRAM с использованием второго поколения техпроцесса с нормами класса 10 нм (это 17-нм или 16-нм техпроцесс, тогда как первое поколение техпроцесса опиралось на 18-нм нормы). В настоящий момент, напомним, Samsung для выпуска микросхем памяти использует 193-нм сканеры. Для этого для изготовления критически важных слоёв она использует последовательно по четыре фотошаблона и четыре цикла обработки (технология Quadruple Patterning Technique, QPT). Как видим, компания прекрасно справляется с выпуском DRAM без перехода на EUV-сканеры. Кстати, она первой в мире применила четырёхкратную проекцию для выпуска памяти и снова станет первой, если начнёт выпускать память с помощью литографии EUV.

Это касается выпуска памяти 10-нм класса, для выпуска DRAM с нормами от 7 нм и ниже потребуется больше одного шаблона на слой. В идеальном случае сканеры диапазона EUV помогут сократить число производственных циклов (и фотошаблонов) для изготовления каждого слоя с четырёх циклов до одного. Попросту говоря, Samsung намерена существенно сократить затраты на производство DRAM практически без увеличения роста плотности записи.

Будет ли она использовать для этого сканеры EUV, сейчас неизвестно, разработка техпроцесса только стартовала. Что касается конкурентов, то компания Micron разрабатывает 13-нм DRAM, которую рассчитывает начать выпускать с 2020 года в Японии на бывших заводах Elpida Memory. Сканеры EUV она при этом использовать не будет. Компания SK Hynix готовится выпускать в 2019 году DRAM с использованием техпроцесса с нормами 17 или 16 нм. Поэтому существует ненулевая вероятность, что Samsung снова совершит маленькую революцию, первой начав выпускать чипы DRAM на ультрасовременном EUV-оборудовании.


Оставить комментарий

Ваш email нигде не будет показан
Обязательные для заполнения поля помечены *

*

x

Ещё Hi-Tech Интересное!

SK Hynix заявила о разработке 16-Гбит DDR5-5200 для производства с 10-нм нормами

Это тот же самый новейший техпроцесс компании, с помощью которого она начинает производство 8-Гбит кристаллов DDR4. Компания SK Hynix — второй в мире по величине производитель памяти типа DRAM — сообщила о разработке 16-Гбит кристаллов DRAM DDR5 с использованием второго ...

Daimler построит в Китае ещё один центр по разработке и исследованиям

Немецкий автопроизводитель Daimler AG заявил о планах инвестировать 1,1 млрд юаней ($158,23 млн) в свой новый центр по исследованиям и разработкам в Пекине, чтобы ускорить локализацию моделей автомобилей бренда Mercedes-Benz в Китае. REUTERS/Damir Sagolj Daimler сообщила, что новый центр будет ...