Чтобы поддержать действие эмпирического правила, именуемого «законом Мура», микропроцессоры и микросхемы должны «расти вверх», поскольку возможности увеличения плотности размещения транзисторов в планарном измерении себя уже исчерпывают. О важности трёхмерных пространственных компоновок в наши дни говорят все разработчики и производители полупроводниковых изделий — от Intel и AMD до TSMC. Память типа HBM изначально использовала возможности вертикальной компоновки, а на этой неделе компания Samsung Electronics объявила о новом прорыве в изготовлении подобных микросхем.
Источник изображения: Samsung Electronics
Сейчас предельный объём одной выпускаемой серийно восьмислойной микросхемы составляет 8 Гбайт. Южнокорейский гигант отчитался о завершении разработки технологии создания 12-слойных микросхем, что является существенным прогрессом по сравнению с существующими 8-слойными микросхемами памяти типа HBM2. Важно, что высота микросхемы памяти при этом останется прежней — 720 мкм или 0,72 мм. После удвоения ёмкости каждого слоя и перехода на 12-слойную компоновку предельный объём микросхемы можно будет увеличить до 24 Гбайт.
Каждый слой микросхемы имеет 60 тысяч микроскопических отверстий для межслойных соединений, диаметр отверстия не превышает одной двадцатой толщины человеческого волоса. Расстояние между слоями уменьшится, что позволит не только улучшить показатели энергопотребления, но и поднять скорости передачи информации. После первых попыток применить память HBM2 в потребительских видеокартах среднего ценового диапазона, соответствующим микросхемам суждено будет укорениться в сегменте ускорения вычислений и искусственного интеллекта, поскольку здесь использование быстрой, но дорогой памяти себя оправдывает экономически.
