Железо

Samsung наделит смартфоны флеш-накопителями eUFS 3.0 ёмкостью 512 Гбайт

0 вместимостью 512 Гбайт. Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первых в отрасли встраиваемых флеш-модулей embedded Universal Flash Storage (eUFS) 3.

Модули eUFS 3. Изделия рассчитаны на высокопроизводительные мобильные устройства — прежде всего на флагманские смартфоны. 1. 0 обеспечивают двукратный прирост быстродействия по сравнению с изделиями предыдущего поколения — eUFS 2.

Для сравнения: у eUFS 2. Так, заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 2100 Мбайт/с. 1 этот показатель составляет до 1000 Мбайт/с.

0 демонстрируют четырёхкратное увеличение скорости чтения, а по сравнению с обычными картами microSD — 20-кратное. По сравнению с твердотельными накопителями SATA SSD модули eUFS 3.

0 ёмкостью 512 Гбайт достигает 410 Мбайт/с. Скорость записи у модуля eUFS 3. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при чтении и записи составляет до 63 000 и 68 000 соответственно.

Кроме того, в состав модуля входит высокопроизводительный контроллер. В составе нового изделия используются восемь 512-гигабитных кристаллов V-NAND.

0 вместимостью 1 Тбайт.  Samsung Electronics также отмечает, что во второй половине текущего года планируется начать производство модулей eUFS 3.

Теги
Показать больше

Похожие статьи

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Кнопка «Наверх»
Закрыть