Железо

Samsung наделит смартфоны флеш-накопителями eUFS 3.0 ёмкостью 512 Гбайт

0 вместимостью 512 Гбайт. Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первых в отрасли встраиваемых флеш-модулей embedded Universal Flash Storage (eUFS) 3.

Модули eUFS 3. Изделия рассчитаны на высокопроизводительные мобильные устройства — прежде всего на флагманские смартфоны. 1. 0 обеспечивают двукратный прирост быстродействия по сравнению с изделиями предыдущего поколения — eUFS 2.

Для сравнения: у eUFS 2. Так, заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 2100 Мбайт/с. 1 этот показатель составляет до 1000 Мбайт/с.

0 демонстрируют четырёхкратное увеличение скорости чтения, а по сравнению с обычными картами microSD — 20-кратное. По сравнению с твердотельными накопителями SATA SSD модули eUFS 3.

0 ёмкостью 512 Гбайт достигает 410 Мбайт/с. Скорость записи у модуля eUFS 3. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при чтении и записи составляет до 63 000 и 68 000 соответственно.

Кроме того, в состав модуля входит высокопроизводительный контроллер. В составе нового изделия используются восемь 512-гигабитных кристаллов V-NAND.

0 вместимостью 1 Тбайт.  Samsung Electronics также отмечает, что во второй половине текущего года планируется начать производство модулей eUFS 3.

Теги
Показать больше

Похожие статьи

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Кнопка «Наверх»
Закрыть