Samsung наделит смартфоны флеш-накопителями eUFS 3.0 ёмкостью 512 Гбайт
0 вместимостью 512 Гбайт. Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первых в отрасли встраиваемых флеш-модулей embedded Universal Flash Storage (eUFS) 3.
Модули eUFS 3. Изделия рассчитаны на высокопроизводительные мобильные устройства — прежде всего на флагманские смартфоны. 1. 0 обеспечивают двукратный прирост быстродействия по сравнению с изделиями предыдущего поколения — eUFS 2.
Для сравнения: у eUFS 2. Так, заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 2100 Мбайт/с. 1 этот показатель составляет до 1000 Мбайт/с.
0 демонстрируют четырёхкратное увеличение скорости чтения, а по сравнению с обычными картами microSD — 20-кратное. По сравнению с твердотельными накопителями SATA SSD модули eUFS 3.
0 ёмкостью 512 Гбайт достигает 410 Мбайт/с. Скорость записи у модуля eUFS 3. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) при чтении и записи составляет до 63 000 и 68 000 соответственно.
Кроме того, в состав модуля входит высокопроизводительный контроллер. В составе нового изделия используются восемь 512-гигабитных кристаллов V-NAND.
0 вместимостью 1 Тбайт. Samsung Electronics также отмечает, что во второй половине текущего года планируется начать производство модулей eUFS 3.