Железо

Samsung начала выпуск чипов со встроенной памятью eMRAM

Что это за продукты и какой объём eMRAM в составе поставляемых чипов, в Samsung не сообщили. В среду в кампусе Giheung компании Samsung состоялась торжественная церемония, посвящённая первым массовым поставкам продуктов со встроенной памятью eMRAM (магниторезистивной RAM). Такие пластины представляют собой очень тонкий слой полностью обеднённого кремния на изоляторе. Из того, что заявлено ― это использование техпроцесса с нормами 28 нм на пластинах FD-SOI (fully-depleted silicon-on-insulator). За счёт подобной конструкции сильно снижаются паразитные токи утечки и растёт энергоэффективность.

Завод Samsung

Завод Samsung

Блоки eMRAM ёмкостью 1 Гбит компания будет выпускать не раньше, чем во второй половине текущего года. Судя по всему, Samsung использует в производстве блоки eMRAM по 256 Мбит или 512 Мбит. После этого до начала производства должно пройти ещё порядка трёх месяцев. В пресс-релизе она уточняет, что позже в этом году будут готовы только цифровые проекты 1-Гбит eMRAM. Другие три ― это NXP Semiconductors, GlobalFoundries и Intel. Тем самым Samsung стала четвёртым производителем чипов, который способен выпускать контроллеры, процессоры и SoC с памятью eMRAM вместо eNAND.

Это означает, что блок eMRAM выпускается отдельно с использованием всего трёх фотомасок и может быть добавлен к чипу вне зависимости от техпроцесса, с помощью которого тот выпущен и без привязки к планарным или FinFET-транзисторам. Важной особенностью технологического процесса при производстве eMRAM Samsung можно признать то, что блок памяти добавляется в чип на этапе сборки, упаковки и тестирования. Тем самым блок eMRAM Samsung можно адаптировать под уже готовые и давно запущенные в массовое производство решения, существенно модернизировав актуальные разработки. Вообще без какой-либо привязки к базовому решению.

Уточнённые данные мы узнаем чуть позже, и всё расскажем на наших страницах. Ещё раз повторим, Samsung не даёт точного описания приборов с eMRAM, которые она запустила в массовое производство. В демонстрационном ролике выше компания показывает, что скорости чтения из eMRAM и SRAM одинаковые. Пока заявлено, что скорость работы eMRAM в 1000 раз больше eNAND (eFlash). Также следует ожидать, о чём Samsung не говорит в пресс-релизе, что её память eMRAM относится, скорее всего, к типу STT-MRAM с записью с переносом момента спина электрона. Потребление в режиме записи памяти eMRAM составляет всего 1/400 от потребления при записи eNAND, а устойчивость к износу на несколько порядков выше. Очень экономная, энергонезависимая и быстрая память. Собственно, об этом говорят энергетические показатели в режиме записи.

Теги
Показать больше

Похожие статьи

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Кнопка «Наверх»
Закрыть