Железо

Samsung начала массовый выпуск 100-слойной 3D NAND и обещает 300-слойную

Максимально возможная конфигурация допускает выпуск чипов со 136 слоями, что становится новой вехой на пути к более плотной флеш-памяти 3D NAND. Свежим пресс-релизом компания Samsung Electronics сообщила, что она приступила к массовому производству 3D NAND с более чем 100 слоями. В процессе спайки кристаллов часть пограничных слоёв разрушается, и это делает невозможным точно указать число слоёв в кристалле, чтобы Samsung потом не обвинили в неточности. Отсутствие чёткой конфигурации памяти намекает, что чип с более чем 100 слоями собирается из двух или, скорее всего, из трёх монолитных кристаллов 3D NAND (например, из 48-слойных).

96-слойная 3D NAND может быть составлена из двух 48-слойных кристаллов 3D NAND, а 144-слойная из трёх

96-слойная 3D NAND может быть составлена из двух 48-слойных кристаллов 3D NAND, а 144-слойная (136-слойная, с учётом дефектов) из трёх

Первой 100-слойной продукцией стали чипы 3D NAND TLC ёмкостью 256-Гбит. Тем не менее, в Samsung настаивают на уникальном сквозном травлении кристаллов (channel hole etching), которое открывает возможность насквозь пронзить толщу монолитной структуры и соединить горизонтальные массивы флеш-памяти в один чип памяти. Чипы объёмом 512-Гбит со 100(+) слоями компания начнёт выпускать грядущей осенью.

За счёт «повышения этажности» Samsung смогла выпускать чип меньшей площади, не теряя в ёмкости. Отказ от выпуска более ёмкой памяти продиктован тем (вероятно), что уровень брака при выпуске новейшей продукции легче контролировать в случае памяти меньшей ёмкости. По словам Samsung, это упростило и сократило технологические циклы производства и позволило на 20 % увеличить производительность труда, что означает больше и дешевле. Более того, чип в некотором роде стал проще, поскольку теперь вместо 930 млн вертикальных отверстий в монолите достаточно протравить только 670 млн дыр.

Продукция будет поставляться OEM-производителям ПК. На основе 100-слойной памяти Samsung начала выпуск 256-Гбайт SSD с интерфейсом SATA. Можно не сомневаться, что вскоре Samsung представит надёжные и сравнительно недорогие твердотельные накопители.

Первой 100-слойная 3D NAND Samsung попала в массовые 256-Гбайт SSD

Первой 100-слойная 3D NAND Samsung попала в массовые 256-Гбайт SSD

Новая 256-Гбит 3D NAND TLC в целом оказалась на 10 % быстрее 96-слойной памяти. Переход на 100-слойную структуру не заставил пожертвовать производительностью и энергопотреблением. При этом потребление удалось снизить на 15 %. Улучшенный дизайн управляющей электроники чипа позволил удержать скорость передачи данных в режиме записи ниже 450 мкс, а в режиме чтения ниже 45 мкс. Если Samsung сможет начать массовый выпуск 300-слойной 3D NAND в следующем году, это станет болезненным пинком конкурентам и зарождающейся в Китае индустрии по выпуску флеш-памяти. Самое интересное, что на основе 100-слойной 3D NAND компания обещает следующей выпустить 300-слойную 3D NAND, просто состыковав три условно монолитных 100-слойных кристалла.

Теги
Показать больше

Похожие статьи

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Кнопка «Наверх»
Закрыть