Железо

Samsung и SK Hynix снижают темпы наращивания производства памяти

Производители сталкиваются со снижением спроса и стараются избежать потерь. Компании Samsung и SK Hynix, согласно последним данным, решили скорректировать свои планы по расширению производственных мощностей, предназначенных для выпуска микросхем оперативной (DRAM) и твердотельной памяти (NAND).

Однако эта ситуация меняется в лучшую для потребителя сторону. В последнее время цены на микросхемы памяти в основном росли, в особенности это касалось оперативной памяти (DRAM), но также затрагивало и твердотельную флеш-память (NAND). Не так давно мы писали о том, что цены на оперативную память начнут снижаться из-за снижения спроса, а на флеш-память — из-за избыточного производства.

Более того, ещё около 15 % цена флеш-памяти сбросит в следующем, четвёртом квартале. И действительно, аналитики отмечают перенасыщение на рынке твердотельной памяти в третьем квартале 2018 года, из-за чего за текущий квартал она может потерять в цене 10–15 %, если верить прогнозам. В свою очередь оперативная память пока что дешевеет медленнее, но в следующем квартале темпы могут возрасти. И даже в начале будущего года сохранится подобная тенденция.

Компания SK Hynix также решила замедлить наращивание объёмов производства твердотельной памяти 3D NAND. Поэтому компания Samsung вполне закономерно решила отложить ввод в строй новых производственных мощностей по выпуску флеш-памяти 3D V-NAND до первой половины будущего года.

Изначально в планы Samsung входило уже в этом квартале наладить выпуск дополнительных 30 000 полупроводниковых пластин ежемесячно. Сообщается также, что Samsung решила повременить и с планами по расширению производственных мощностей по выпуску микросхем оперативной памяти 10-нм класса на фабриках в Пхёнтхэке и Хвасоне, что в Южной Корее.

Теги
Показать больше

Похожие статьи

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Кнопка «Наверх»
Закрыть