Железо

Российские учёные помогут уменьшить толщину полупроводников на порядок

А это приведёт к росту производительности конечных устройств. Учёные из России разработали новую технологию, которая позволит в разы уменьшить размер проводящих (транзисторных) элементов для электроники.

Содействие им оказали американские учёные из Университета штата Небраска. В работах приняли участие специалисты Национального исследовательского технологического университета «МИСиС» (НИТУ «МИСиС»).

Для улучшения характеристик устройств исследователи предлагают отказаться от него в пользу других материалов. Сейчас основным материалом, используемым для изготовления полупроводниковой электроники, является кремний.

Применение в качестве исходных веществ сплавов титан-цирконий и чистой серы позволяет точно управлять свойствами получаемых полупроводниковых тонких лент, которые затем и используются в устройствах. Речь, в частности, идёт о соединениях титана и циркония с серой (TiS3 и ZrS3).

Оказалось, что однородность материалов нарушают крупные восьмиугольники (гексагоны), формирующиеся в структуре вещества в процессе кристаллизации. В ходе исследований специалистам удалось решить проблему, с которой ранее сталкивались другие научные группы: почему не удаётся получить весь спектр соединений от чистого ZrS3 до TiS3, чтобы управлять оптическими и электрическими свойствами этих материалов. Избавиться от этих гексагонов удалось путём понижения температуры, при которой протекает затвердевание раствора.

В частности, были получены плёнки толщиной всего около 1 нм. В результате, исследователи смогли уменьшить толщину полупроводниковых компонентов в 10 раз, то есть на порядок.

В перспективе это позволит найти оптимальные и стабильные комбинации материалов с наибольшей степенью проводимости», — говорится в публикации «МИСиС».  «Далее учёные планируют продолжить эксперименты с титаном и цирконием: используя разные соотношения металлов, объединять их в твёрдые растворы с серой и измерять проводимость образцов.

Теги
Показать больше

Похожие статьи

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Кнопка «Наверх»
Закрыть