Главная » Железо » Российская Ангстрем-Т готова выпускать силовые транзисторы Trench MOSFET

Российская Ангстрем-Т готова выпускать силовые транзисторы Trench MOSFET

В перспективе отрасль будет переходить на новые материалы из разряда широкозонных полупроводников: соединения нитрида галлия (GaN), карбида кремния (SiC) и некоторых других материалов. Очевидный курс массового автотранспорта на электромобили, солнечная энергетика и общее развитие электроники в сторону мобильности открыто намекают на важность развития силовой полупроводниковой электроники. Но это потребует времени и дополнительных ресурсов, тогда как улучшить характеристики силовых транзисторов MOSFET можно с помощью более доступных технологий, например, освоив выпуск так называемых «траншейных» MOSFET (Trench MOSFET).

Так, компания АО «Ангстрем-Т» разослала пресс-релиз, в котором сообщила, что её полупроводниковый завод освоил технологию производства силовых транзисторов Trench MOSFET, и она в данный момент является единственным в России производителем, который может выпускать транзисторы такого типа.

на картинке выше) технология производства и структура Trench MOSFET отличается тем (см. От обычных планарных MOSFET (см. Грубо говоря, это FinFET наоборот. картинку ниже), что для изготовления затвора создаётся канавка и он создаётся в углублении. При этом структуры можно расположить более плотно, а сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии не изменяется и даже может быть меньше, чем у планарного MOSFET. За счёт увеличения площади затвора управляющее поле охватывает большую площадь. Масса и габариты транзисторов тоже становятся меньше. Это позволяет значительно улучшить характеристики транзисторов MOSFET, в частности, его эффективность, что крайне важно для блоков питания с использованием аккумуляторов.

Но это относится к проектированию схем с использованием Trench MOSFET. У транзисторов Trench MOSFET есть свои минусы. Но всё это решаемо и относится к азам проектирования. При разработке электронных цепей следует учитывать, что Trench MOSFET подвержены ложному срабатыванию из-за появления в их структуре паразитных цепей в виде биполярного транзистора и внутреннего диода. В целом мировой рынок MOSFET-транзисторов оценивается в $6 млрд в год, так что компании Ангстрем-Т на нём гарантированно найдётся своё место.


Оставить комментарий

Ваш email нигде не будет показан
Обязательные для заполнения поля помечены *

*

x

Ещё Hi-Tech Интересное!

Škoda показала интерьер электрического кроссовера Vision iV

Этот автомобиль получит инновационный салон, эскизные изображения которого представлены ниже. Как мы уже сообщали, чешский бренд Škoda покажет на предстоящем Международном автосалоне в Женеве концепт-кар Vision iV с электрическим приводом. Напомним, что на базе MEB могут проектироваться автомобили разных классов ...

Arctic Freezer 50 TR: кулер для Ryzen Threadripper с возможностью пассивного охлаждения

Новинка интересна в первую очередь тем, что поддерживает пассивный режим работы. Компания Arctic готовит весьма необычную систему охлаждения Freezer 50 TR, предназначенную для процессоров AMD Ryzen Threadripper, сообщает ресурс Aquatuning. Что-то похожее реализовано во многих современных видеокартах: при низкой нагрузке ...