Главная » Железо » Российская Ангстрем-Т готова выпускать силовые транзисторы Trench MOSFET

Российская Ангстрем-Т готова выпускать силовые транзисторы Trench MOSFET

В перспективе отрасль будет переходить на новые материалы из разряда широкозонных полупроводников: соединения нитрида галлия (GaN), карбида кремния (SiC) и некоторых других материалов. Очевидный курс массового автотранспорта на электромобили, солнечная энергетика и общее развитие электроники в сторону мобильности открыто намекают на важность развития силовой полупроводниковой электроники. Но это потребует времени и дополнительных ресурсов, тогда как улучшить характеристики силовых транзисторов MOSFET можно с помощью более доступных технологий, например, освоив выпуск так называемых «траншейных» MOSFET (Trench MOSFET).

Так, компания АО «Ангстрем-Т» разослала пресс-релиз, в котором сообщила, что её полупроводниковый завод освоил технологию производства силовых транзисторов Trench MOSFET, и она в данный момент является единственным в России производителем, который может выпускать транзисторы такого типа.

на картинке выше) технология производства и структура Trench MOSFET отличается тем (см. От обычных планарных MOSFET (см. Грубо говоря, это FinFET наоборот. картинку ниже), что для изготовления затвора создаётся канавка и он создаётся в углублении. При этом структуры можно расположить более плотно, а сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии не изменяется и даже может быть меньше, чем у планарного MOSFET. За счёт увеличения площади затвора управляющее поле охватывает большую площадь. Масса и габариты транзисторов тоже становятся меньше. Это позволяет значительно улучшить характеристики транзисторов MOSFET, в частности, его эффективность, что крайне важно для блоков питания с использованием аккумуляторов.

Но это относится к проектированию схем с использованием Trench MOSFET. У транзисторов Trench MOSFET есть свои минусы. Но всё это решаемо и относится к азам проектирования. При разработке электронных цепей следует учитывать, что Trench MOSFET подвержены ложному срабатыванию из-за появления в их структуре паразитных цепей в виде биполярного транзистора и внутреннего диода. В целом мировой рынок MOSFET-транзисторов оценивается в $6 млрд в год, так что компании Ангстрем-Т на нём гарантированно найдётся своё место.


Оставить комментарий

Ваш email нигде не будет показан
Обязательные для заполнения поля помечены *

*

x

Ещё Hi-Tech Интересное!

В России поступил в продажу крупноформатный игровой монитор HP OMEN X Emperium 65 по цене от 300 тыс. рублей

Компания HP объявила о старте продаж в России монитора OMEN X Emperium 65, представляющего собой оптимизированную специально для игр панель BFGD (Big Format Gaming Display) с диагональю 65 дюймов и разрешением 4K HDR. Монитор получил поддержку технологии NVIDIA G-SYNC HDR, ...

Обсерватория «Спектр-РГ» отправляется на Байконур для июньского запуска

Сегодня, 24 апреля 2019 года, на космодром Байконур отправляется космический аппарат «Спектр-РГ», созданный в рамках российско-германского проекта по исследованию Вселенной. Фотографии Сергей Мамонтов / РИА Новости / Роскосмос Для этого будут применяться два рентгеновских телескопа с оптикой косого падения — ...