Железо

Разработка «китайской» 3D NAND потребовала свыше $1 млрд и более 2 лет

И, конечно же, выставка не обошлась без стенда компании Yangtze Memory Technology, где была показана первая разработанная и произведённая в этой стране многослойная память 3D NAND. Десятого мая в Шанхае открылась первая в истории Китая выставка «China Brand Day», в ходе которой, по замыслу организаторов, китайские компании должны были продемонстрировать уникальные разработки на уровне передовых мировых проектов.

Yangtze Memory Technology

Yangtze Memory Technology

Массовое производство первой продукции — 32-слойных микросхем предположительно ёмкостью 64 Гбит (8 Гбайт) — начнётся позже в текущем году. В апреле, как мы сообщали, компания Yangtze Memory на построенном в прошлом году заводе для обработки 300-мм кремниевых пластин приступила к установке и наладке производственного оборудования для выпуска памяти 3D NAND. Но опытное производство уже ведётся и производителю есть, что привезти и показать на выставке.

Стенд Tsinghua с 32-слойной 3D NAND и SoC с LTE-модемом (Yangtze Memory Technology)

Стенд Tsinghua с 32-слойной 3D NAND и SoC с LTE-модемом (Yangtze Memory Technology)

Над разработкой трудилось свыше 1000 инженеров, а финансовые затраты на поддержку проекта оценены на уровне 11 млрд юаней (свыше $1 млрд). В ходе выставочного мероприятия представители компании подчеркнули, что технология производства 3D NAND разработана собственными усилиями в течение двух последних лет. Мы же напомним, что разработка «национальной» памяти 3D NAND вряд ли была бы выполнена так быстро, если бы не прямая помощь, базовые разработки и патенты американо-японской компании Spansion. Тем самым Китай заявляет, что владеет правами на интеллектуальную собственность в области производства многослойной флеш-памяти и может спокойно выходить с этой продукцией на мировой рынок.

Теги
Показать больше

Похожие статьи

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Кнопка «Наверх»
Закрыть