Главная » Железо » Разработан дизайн энергонезависимой памяти DDR4 на углеродных нанотрубках

Разработан дизайн энергонезависимой памяти DDR4 на углеродных нанотрубках

Память NRAM компания Nantero разрабатывает свыше 15 лет. В интервью сайту EE Times исполнительный директор компании Nantero сообщил, что её специалисты завершили разработку энергонезависимой версии памяти DDR4 на основе уникальной ячейки памяти NRAM. Скорость переключения ячейки NRAM приближается к скорости работы типичной оперативной памяти. В основе ячейки лежат углеродные нанотрубки. В то же время ячейка NRAM не теряет информацию в случае пропадания питания. Например, скорость записи составляет 5 нс. Интересно только одно, когда же NRAM появится на рынке? Сочетание скорости и энергонезависимость делают память на углеродных нанотрубках интереснейшим явлением в мире полупроводников.

Это должно было произойти в 2018 году. Напомним, одной из первых выпускать микроконтроллеры со встраиваемой 55-нм памятью NRAM пообещала компания Fujitsu. Поскольку Nantero лишь создаёт проекты и распространяет их на основе лицензирования IP-блоков, компанию нельзя винить в задержках с производством. Руководство Nantero сообщило, что данное событие отодвинуто на 2019 год.

На днях, что интересно, Nantero собрала очередной раунд инвестиций, получив определённую сумму от 8 компаний, 5 из которых в своё время стали самыми первыми инвесторами компании. Что касается разработки NRAM DDR4, то она рассчитана на выпуск с использованием техпроцесса с нормами 28 нм, что, кстати, идеально подходит для одного из стратегических инвесторов Nantero — крупнейшего в Китае контрактного производителя чипов компании SMIC (Nantero финансируется через подконтрольную SMIC структуру). Особенно в Nantero гордятся тем, что её разработки финансируют компании из списка 10 крупнейших в мире полупроводниковых производителей.

Память NRAM прошла заводские испытания (Nantero)

Память NRAM прошла заводские испытания (Nantero)

Этому поспособствуют два фактора. Массовое производство памяти NRAM DDR4 обещает оказаться не дороже выпуска памяти DRAM DDR4. Это позволит увеличить плотность записи без увеличения площади чипа. Во-первых, возможность многослойной структуры, что напоминает структуру 3D NAND. Например, перекрёстное строение NRAM (подобно ReRAM) требует намного меньше управляющих элементов в виде переключателей шин, чем в случае памяти типа DRAM. Во-вторых, схемотехническая реализация массива NRAM DDR4 много проще, чем массива DRAM DDR4.

Также в компании подтвердили намерение проникнуть в сферу автомобильной электроники (память NRAM выдерживает экстремальные температуры без потери данных) и в сферу ИИ (без этого теперь никуда). Наконец, в компании сообщили, что ведутся разработки одиночных чипов NRAM для таких сфер использования, как кеширующие буферы для SSD и HDD. Память NAND и DRAM подобным похвастаться не могут. Задел на будущее обозначен тем, что структура NRAM обещает сохранить работоспособность в случае снижения масштаба техпроцесса до 5 нм. Для одной и другой экономически выгодный предел производства заканчивается на 15 нм или чуть меньше.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.

Материалы по теме


Оставить комментарий

Ваш email нигде не будет показан
Обязательные для заполнения поля помечены *

*

x

Ещё Hi-Tech Интересное!

Пользователи Google Home получили бесплатный доступ к YouTube Music

В последней, именуемой Premium, пользователи могут слушать музыку без рекламы, в фоновом режиме и без подключения к Интернету. Музыкальный сервис YouTube Music доступен как в бесплатной, так и в платной версии. Дело в том, что корпорация Google объявила о доступности ...

Цена MSI GeForce GTX 1650 Ventus XS OC и Aero ITX OC приближается к 200 евро в Испании

На этот раз ресурс Tom’s Hardware обнаружил в ассортименте испанского Amazon две модели видеокарты GeForce GTX 1650 от компании MSI, которые называются Ventus XS OC и Aero ITX OC. Считанные дни остаются до выхода видеокарт GeForce GTX 1650, но поток ...