Железо

Производство 10-нм DRAM памяти Micron пройдёт пять стадий

Начнём с оперативной памяти. В преддверии симпозиума VLSI 2018 компания Micron Technology устами исполнительного вице-президента Скотта ДеБоера (Scott DeBoer) раскрыла планы по разработке новых техпроцессов производства памяти типа DRAM и 3D NAND. В настоящий момент компания массово выпускает микросхемы DRAM с использованием первого поколения техпроцесса класса 10 нм под кодовым именем 1Xnm (предположительно — это 17 нм). Сообщается, что техпроцессы класса 10 нм пройдут пять стадий, три из которых ещё предстоит детально разработать. Во втором полугодии объёмы производства чипов с нормами 1Xnm начнут превышать объёмы производства DRAM класса 20 нм, постепенно вытесняя их из оборота.

Массовый выпуск микросхем оперативной памяти с нормами 1Ynm стартует до конца текущего года. Второе поколение техпроцесса класса 10 нм или 1Ynm уже разработано, а выпущенные с его помощью микросхемы DRAM проходят квалификационные тесты у партнёров Micron. В Micron этой информации не раскрывают. Под кодовым именем 1Ynm может скрываться как 16-нм, так и 15-нм техпроцесс.

По слухам, это будут технологические нормы уровня 13 нм. Третье поколение техпроцесса класса 10 нм или 1Znm находится на стадии проектирования кристалла и в процессе проработки необходимых производственных операций. Оба они, как понятно даже из названий, находятся на ранней стадии разработки. Двумя следующими техпроцессами Micron станут техпроцессы 1α (альфа) и 1β (бета). Как и компания Samsung, Micron также будет использовать в будущем сканеры диапазона EUV для производства памяти, но начнёт это делать ориентировочно с техпроцесса 1β. Техпроцессы 1α и 1β тоже будут относиться к классу 10 нм, но они могут опуститься ниже этой геометрической границы, хотя Micron не стала вводить кодовое имя класса 0Xnm.

Перспективные варианты по наращиванию плотности 3D NAND

Перспективные варианты по наращиванию плотности 3D NAND

Поскольку ёмкость чипов не увеличится, кристаллы получатся рекордно малой для индустрии площади. Что касается многослойной памяти NAND (3D NAND), то Micron пообещала до конца календарного года приступить к производству 96-слойных 512-Гбит чипов. Плохая новость заключается в том, что 96-слоёв невозможно создать в одном кристалле и новые чипы будут состоять из двух состыкованных друг с другом 48-слойных кристаллов. В пересчёте на себестоимость кристаллов — это хорошая новость.

96-слойная 3D NAND может быть составлена из двух 48-слойных кристаллов 3D NAND (International Memory Workshop 2018)

96-слойная 3D NAND может быть составлена из двух 48-слойных кристаллов 3D NAND (International Memory Workshop 2018)

Если верить источникам, 64-слойная память 3D NAND уже выпускается как в виде монолитного кристалла, так и в виде стеков из двух 32-слойных кристаллов. Впрочем, компания Micron уже умеет собирать стеки из кристаллов 3D NAND. Кстати, выпуск монолитных 64-слойных кристаллов открывает путь к относительно простому производству четвёртого поколения 3D NAND в виде 128-слойных микросхем.

Память 3D NAND может использовать разный тип ячеек: с ловушкой заряда или с плавающим затвором

Память 3D NAND может использовать разный тип ячеек: с ловушкой заряда или с плавающим затвором

Как результат, пропускная способность 3D NAND памяти компании увеличится на 30 %, а потребление энергии в пересчёте на бит сохраняемых данных снизится на 40 %. Также Micron подтвердила, что в четвёртом поколении 3D NAND она откажется от ячейки NAND с плавающим затвором и перейдёт на ячейку NAND с ловушкой заряда. Неплохо!

Теги
Показать больше

Похожие статьи

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Кнопка «Наверх»
Закрыть