Железо

Показатель TDP процессора Snapdragon 1000 может достигать 12 Вт

Теперь  в распоряжении сетевых источников оказались новые данные об этом чипе. Не так давно мы сообщали, что Qualcomm проектирует процессор Snapdragon 1000 для портативных компьютеров под управлением Windows 10.

Однако примерно таким значением обладает недавно представленный чип Snapdragon 850, который по производительности останется позади будущего решения Snapdragon 1000. Ранее говорилось, что максимальное значение рассеиваемой тепловой энергии (показатель TDP) изделия Snapdragon 1000 составит около 6,5 Вт.

Таким образом, по этому показателю новый процессор Qualcomm вплотную приблизится к чипам Intel Kaby Lake R U-Series, таким как Core i5-8250U и Core i7-8550U, у которых номинальное значение TDP равно 15 Вт. Ресурс WinFuture сообщает, что в случае Snapdragon 1000 величина TDP будет достигать 12 Вт.

Высказываются предположения, что основой нового процессора послужат передовые вычислительные ядра Cortex-A76, представленные компанией ARM всего несколько дней назад. В результате, делают вывод наблюдатели, платформа Snapdragon 1000 обеспечит весьма ощутимый прирост быстродействия по сравнению с решением Snapdragon 850. Тактовая частота может достигать 3 ГГц и более. При производстве чипов будет применяться 7-нанометровая технология.

Официальные характеристики Snapdragon 1000, по всей видимости, будут объявлены ближе к концу нынешнего года. 

Теги
Показать больше

Похожие статьи

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Кнопка «Наверх»
Закрыть