Железо

Освоение 3-нм норм у TSMC протекает гладко, клиенты уже подключаются

Компания весьма радикально наращивала инвестиции, так что её передовой 7-нм процесс с использованием литографии в крайнем ультрафиолетовом диапазоне (EUV) сейчас находится в процессе массового производства. В области полупроводникового производства тайваньская контрактная кузница TSMC заметно опережает своих конкурентов.

На своём недавнем собрании для инвесторов и аналитиков исполнительный директор и сопредседатель TSMC Си Си Вэй (CC Wei) сказал, что исследования и разработки в области 3-нм норм проходят весьма успешно. Пока до начала серийной печати кристаллов с применением 5-нм норм остаётся несколько месяцев, освоение следующего 3-нм техпроцесса у TSMC протекает гладко. Кроме того, ранние клиенты компании уже участвуют в разработке технических требований к новому техпроцессу, который призван ещё сильнее укрепить позиции компании.

Компания не предоставила никаких технических деталей, а также показателей производительности и энергопотребления по отношению к существующим или 5-нм нормам. В настоящее время 3-нм нормы TSMC всё ещё находятся на ранней стадии освоения. Кроме того, TSMC убеждена, что сможет подготовить спецификации, которые будут соответствовать всем требованиям ключевых клиентов. На данный момент компания только оценила все возможные виды структуры транзисторов для 3-нм техпроцесса.

Учитывая, что TSMC должна быть конкурентоспособна, переход на новый тип транзисторов неизбежен, как и использование новых материалов и так далее. Samsung ранее сообщала, что будет использовать транзисторную структуру MBCFET на основе наноструктурного затвора в своём 3-нм техпроцессе 3GAAE. Ранее TSMC сообщала, что планирует начать массовое 3-нм производство в 2022 году. Кроме того, в 5-нм техпроцессе TSMC используются 14 литографических слоёв EUV, которых наверняка будет ещё больше на 3-нм нормах, но, возможно, всё ещё будут использоваться слои с применение литографии в глубоком УФ-диапазоне (DUV).

Теги
Показать больше

Похожие статьи

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Кнопка «Наверх»
Закрыть