Железо

MRAM увеличивает шансы стать следующей массовой энергонезависимой памятью

А новость эта знаковая. Мало кто обратил внимание на новость прошедшего лета о поставках нового производственного оборудования компании Applied Materials. Это первое в мире оборудование для производства перспективных видов памяти на пластинах наибольшего доступного в отрасли диаметра. В ней сообщалось, что Applied Materials приступила к коммерческим поставкам установок по производству полупроводников с массивами памяти MRAM, ReRAM и PCRAM (иногда пишут PCM) на 300-мм кремниевых пластинах. Но какой из новых видов памяти станет наиболее массовым?

Модуль Perpendicular Magnetic Field Unit рядом с монетой в 1 евро

Модуль Perpendicular Magnetic Field Unit рядом с монетой в 1 евро

Обе технологии не могут пока предложить плотность записи, сравнимую с NAND, поэтому они, как правило, идут на замену памяти типа NOR. Память MRAM и PCRAM уже давно находится в производстве, но его объёмы сильно ограничены. Зато NOR, MRAM и PCRAM востребованы для выпуска промышленного оборудования, в транспорте и авиации/космосе. Память NOR быстрее NAND, но также проигрывает ей в плотности записи. Новое оборудование Applied Materials будет способствовать такому развитию событий и, кстати, не только оно. Осталось спуститься на землю и выйти в люди.

Компания Hprobe из французского Гренобля разработала модуль с мощным перпендикулярно направленным магнитным полем для промышленного тестирования пластин с памятью MRAM. Как сообщается, другой производитель промышленного оборудования для выпуска полупроводников также решил делать ставку на MRAM. Сильное магнитное поле возбуждает тоннельные магнитные переходы в ячейках MRAM STT. Модуль Perpendicular Magnetic Field Unit может генерировать магнитное поле силой до 2 тесла без криогенного и даже жидкостного охлаждения. Другое оборудование считывает возбуждение и строит кривые петель гистерезиса по каждому магнитному переходу, что позволяет тестировать блоки памяти на исправность.

Установка Hprobe для тестирования 300-мм пластин с памятью MRAM

Установка Hprobe для тестирования 300-мм пластин с памятью MRAM

Компания Hprobe уже приступила к поставкам оборудования клиентам и уверяет, что это поможет перевести выпуск магниторезистивной памяти на техпроцессы с нормами менее 20 нм. Как утверждают разработчики, новый модуль значительно ускоряет процесс тестирования 300-мм пластин с памятью MRAM. Определённо, инициатива Hprobe сделает фундамент под MRAM ещё прочнее. Сегодня, напомним, память MRAM выпускается с нормами 28 нм.

Показать больше

Похожие публикации

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Кнопка «Наверх»