Micron инвестирует в производство на Тайване 10-нм памяти типа DRAM
К счастью, компания также озаботилась инвестициями в производство оперативной памяти типа DRAM, что особенно радует на фоне третьего года роста цен на память. Не так давно мы сообщали, что компания Micron приступила в Сингапуре к строительству нового корпуса завода для производства энергонезависимой памяти типа 3D NAND. Однако в недалёкой перспективе ситуация с нехваткой памяти обещает определённым образом стать лучше. Нельзя сказать, что дефицит тут же испарился.
На заводе в Тайчжуне, который является предприятием некогда самостоятельной компании Rexchip Electronics, Micron выпускает DRAM с нормами 1X нм (по неофициальным данным память выпускается с нормами 17 нм). Новые инвестиции Micron направлены на ускоренное внедрение на тайваньских заводах компании новейших техпроцессов с нормами класса 10 нм. К производству памяти с нормами 1Z нм предприятие будут готово во второй половине 2019 года.
Это предприятие выпускает память DRAM класса 20 нм. Другой тайваньский завод Micron раньше принадлежал компании Inotera Memories и расположен он вблизи города Таоюань. Пока нет никакой информации о техпроцессах 1Y и 1Z. К производству памяти с норами 1X (17 нм) завод приступит во второй половине текущего года и к концу года будет готов начать выпускать память с нормами 1Y. Считается, что память типа DRAM невыгодно выпускать с технологическими нормами менее 15 нм.
Так, с целью расширить на Тайване выпуск стеков DRAM компания Micron расширит деятельность своего упаковочного завода на острове. Впрочем, производители памяти DRAM научились упаковывать кристаллы в стеки, повышая плотность записи в пересчёте на единицу поверхности посадочного места чипа. В целом Micron рассчитывает вписаться в рыночные тенденции как по поставкам 3D NAND, так и DRAM. На предприятие по упаковке «3D DRAM» Micron наймёт дополнительно 1150 специалистов (800 до конца года и 350+ в следующем году).