Железо

JEDEC опубликовал стандарт LPDDR5, ждём новую память в смартфонах

Отсутствие чистовой версии стандарта не помешало производителям памяти, в частности ― компании Samsung, завершить разработку микросхем LPDDR5 ещё в середине прошлого года. Комитет JEDEC выпустил пресс-релиз, в котором сообщил о публикации финальной версии стандарта LPDDR5. Тем не менее, публикация стандарта JESD209-5 Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5) стала отмашкой для подготовки к выпуску смартфонов с новой версией мобильной памяти.

Это в два раза выше, чем в первой версии спецификации LPDDR4, опубликованной в 2014 году, и в полтора раза больше по сравнению с современной LPDDR4X с пропускной способностью I/O 4266 Мбит/с. На старте память LPDDR5 представлена со скоростью обмена по интерфейсу с производительностью 6400 МТ/с (примерно 6400 Мбит/с). Увеличение скорости передачи данных окажется востребовано как в мобильных устройствах ― смартфонах, планшетах и сверхтонких ноутбуках, так и в новых областях применения, например, в «умной» автомобильной электронике.

Сбой в автомобильной системе чреват тяжкими последствиями, поэтому надёжности данным уделяется повышенное внимание. Для автомобильной электроники, например, память LPDDR5 опционально поддерживает линию Link Error Correcting Code (ECC) между DRAM и SoC для постоянной коррекции ошибок. Введён новый режим «глубокого сна» с двукратным снижением потребления в режиме простоя по сравнению с аналогичным режимом памяти LPDDR4. Не меньшее внимание уделено энергоэффективности новой версии памяти. В общем случае можно говорить примерно о 30 % снижении потребления памяти LPDDR5 в сравнении с памятью LPDDR4X.

Число банков может быть 8, как раньше, так и 16. Рост пропускной способности LPDDR5, кстати, достигнут не только за счёт повышения рабочих частот, но также за счёт новой организации банков памяти. Добавим, память LPDDR5 с пропускной способностью 6400 Мбит/с работает с напряжением 1,1 В. Кстати, тактовые частоты в архитектуре  LPDDR5 могут отличаться друг от друга, как и вводится зональная регенерация памяти, что также добавляет эффективности в работе. Будет также выпускаться память с пропускной способностью 5500 Мбит/с с напряжением 1,05 В.

Теги
Показать больше

Похожие статьи

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Кнопка «Наверх»
Закрыть