Железо

Infineon покупает стартап с передовой технологией расщепления кремниевых пластин

За сумму в 124 млн евро ($139 млн) в собственность Infineon перейдут производственная площадка Siltectra и патенты на передовую технологию по холодному расщеплению кремниевых пластин на более тонкие подложки. Компания Infineon Technologies AG сообщила о договорённости приобрести молодую немецкую компанию Siltectra со штаб-квартирой в Дрездене. Точнее, Infineon приобретает Siltectra для внедрения на своих заводах технологии по расщеплению подложек для изготовления карбидокремниевых полупроводниковых приборов (silicon-carbide, SiC).

Такой метод даёт много отходов, что неважно для чистого кремния и очень плохо для изготовления пластин из сложных соединений. Традиционно подложки изготавливаются с помощью механического распиливания на пластины из выращенного монолитного кристаллического стержня. Вне зависимости от метода выращивания SiC-стержня, заявляют в компании, потери составляют менее 100 микрон слоя на одну пластину. Технология компании Siltectra, защищённая более чем полусотней патентов, позволяет расщеплять (откалывать) кристаллический материал с минимальными потерями пластина за пластиной. Она фактически позволит в два раза увеличить выпуск SiC-продукции за счёт удвоения количества пластин, получаемых после порезки. В Infineon разъясняют преимущество технологии Siltectra ещё проще.

Австрийский завод Infineon как раз специализируется на обработке особенно тонких кремниевых пластин и сможет воспользоваться всеми преимуществами новой технологии. Технология Siltectra будет доведена до промышленных масштабов на дрезденском предприятии компании и на заводе Infineon в Австрии. Впоследствии технология будет распространена на расщепление пластин из других кристаллических материалов, как и на отслоение пластин непосредственно с поверхности выращенных стержней. На внедрение технологии холодного расщепления SiC пластин в массовое производство Infineon планирует потратить до 5 лет. Сейчас, насколько можно понять из контекста, технология холодного расщепления позволяет разделять на две только заранее отрезанную обычным методом пластину.

На основе силовых SiC-элементов создаются предельно эффективные преобразователи энергии для солнечных панелей и компактные, но с очень высоким КПД преобразователи для блоков питания, например, для электротранспорта. В ближайшие годы и в длительной перспективе уверены аналитики JEDEC и Infineon, потребность в полупроводниках из сплава кремния и германия будет расти завидными темпами. И если пластины резать экономно, то можно не опасаться дефицита продукции или её повышенной стоимости.

Теги
Показать больше

Похожие статьи

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Кнопка «Наверх»
Закрыть