Главная » Железо » Imec доказал эффективность памяти SST-MRAM для разделяемой кеш-памяти

Imec доказал эффективность памяти SST-MRAM для разделяемой кеш-памяти

Для этого была разработана модель массива SST-MRAM и выпущен опытный чип, на котором были проведены все необходимые измерения. На конференции 2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) представители бельгийского исследовательского центра Imec продемонстрировали доказательство эффективности магниторезистивной памяти SST-MRAM для использования в качестве разделяемой кеш-памяти вместо традиционной памяти SRAM.

Для производства был использован 193-нм сканер и однопроходная иммерсионная литография (с погружением в жидкость). Следует отметить, что опытный массив памяти SST-MRAM выпущен с использованием 5-нм техпроцесса. Тем самым разработчики доказали, что процесс производства массива кеш-памяти SST-MRAM с технологическими нормами 5 нм может быть достаточно недорогим.

Выяснилось, что в случае ёмкость 0,4 Мбайт память SST-MRAM становится эффективнее памяти SRAM в режимах чтения, а при наборе ёмкости 5 Мбайт потребление в режиме записи памяти SRAM начинает превышать потребления в режиме записи памяти SST-MRAM. Сначала с помощью расчёта, а затем путём замеров был составлен график зависимости потребления массива кеш-памяти SST-MRAM и SRAM в зависимости от объёма памяти. К тому же память SST-MRAM является энергонезависимой, что добавляет ей очков при сравнении с обычной оперативной памятью. Это означает, что в техпроцессах 5 нм память SST-MRAM невыгодно использовать для кеш-памяти первого и второго уровней, тогда как для кеш-памяти третьего уровня, обычно разделяемой, это эффективная замена SRAM.

В зависимости от поляризации тока свободный слой меняет направление намагниченности благодаря движению через него электронов с заданным вращающим моментом. Остаётся напомнить, что ячейка памяти SST-MRAM представляет собой бутерброд из диэлектрика, заключённого между двумя слоями с намагниченностью: одну с фиксированной, а вторую — с переменной. Эксперимент показал, что в рамках 5-нм техпроцесса ячейка SST-MRAM занимает примерно 43,3 % от площади ячейки SRAM. Использование SST-MRAM вместо SRAM решает также другую задачу — это увеличения плотности ячеек памяти.


Оставить комментарий

Ваш email нигде не будет показан
Обязательные для заполнения поля помечены *

*

x

Ещё Hi-Tech Интересное!

Цена гибкого смартфона Samsung окажется на уровне $1800

Корейское агентство CGS-CIMB Research оценило стоимость компонентов и конечную цену этого аппарата. Ожидается, что в феврале на выставке Mobile World Congress компания Samsung анонсирует гибкий смартфон, который может получить название Galaxy Fold или Galaxy F. Lets Go Digital Эта панель ...

Samsung проектирует новый планшет Galaxy Tab A

Сетевые источники сообщают о том, что компания Samsung в ближайшие месяцы может представить новый планшетный компьютер семейства Galaxy Tab A. Информации о его технических  характеристиках пока, увы, немного. Проектируемый гаджет фигурирует под кодовым обозначением SM-P205 (на изображениях показаны другие модели). ...