Например, в сторону производства чипов со встроенной памятью ReRAM. Компания GlobalFoundries полюбовно договорилась с TSMC о сворачивании всех патентных претензий и теперь может спокойно смотреть в будущее. Память ReRAM быстрее NAND, намного устойчивее к износу, не требует предварительной операции стирания и обещает дальнейшее сокращение масштаба технологических норм производства, чего не скажешь о NAND. Это ведь достойный кандидат для замены традиционной встраиваемой флеш-памяти NAND. Единственное преимущество памяти NAND ― её умеют производить много и дёшево, что может считаться только временным достоинством.
Пример условной ячейки ReRAM
Фонд NRF обязуется в течение четырёх лет оплачивать работу университетской группы по данному проекту. Как подсказывают наши коллеги с сайта AnandTech, для разработки технологии промышленного производства памяти ReRAM в качестве встраиваемых в чипы блоков компания GlobalFoundries заключила партнёрский договор с сингапурским Наньянским технологическим университетом (Nanyang Technological University) и сингапурским же инвестиционным фондом National Research Foundation. Компания GlobalFoundries, со своей стороны, на основе разработки будет создавать техпроцесс для промышленного внедрения технологии производства ReRAM. Сумма договора достигает эквивалента $88 млн.
Тайваньский контрактник несколько последних лет активно занимается темой разработки техпроцесса для выпуска встраиваемой ReRAM. Упомянутый выше перекрёстный лицензионный договор с TSMC будет очень кстати в свете поворота GlobalFoundries к памяти ReRAM. Можно рассчитывать, что в только что заключённом 10-летнем договоре о перекрёстном лицензировании патентов обе стороны учли это направление.
Разнообразие планов GlobalFoundries по эксплуатации разных видов энергонезависимой памяти
Производитель смог довести до массового производства магниторезистивную память (MRAM) и готовится выпускать блоки из этой памяти в качестве встраиваемых. В то же время память ReRAM не является для GlobalFoundries исключительным направлением для поиска замены NAND. Память MRAM боится низких рабочих температур и страдает от низкой плотности записи. Но у MRAM есть недостатки, которых нет у ReRAM. По этим и другим причинам она пока не стала массовой, а станет или нет ― это зависит от проницательности учёных.
