Железо

Для китайской 3D NAND подготовлена вторая версия технологии Xtacking

Технология Xtacking, напомним, была представлена на ежегодном форуме Flash Memory Summit в августе прошлого года и даже получила награду в категории «Самый инновационный стартап в области флеш-памяти». Как сообщают китайские информационные агентства, компания Yangtze Memory Technologies (YMTC) подготовила вторую версию фирменной технологии Xtacking для оптимизации производства многослойной флеш-памяти 3D NAND.

Награда Yangtze Memory Technologies за разработку технологии Xtracking

Награда Yangtze Memory Technologies за разработку технологии Xtracking

К массовым коммерческим поставкам 3D NAND компания перейдёт ближе к концу текущего года при запуске в производство 128-Гбит 64-слойной памяти, которая, кстати, будет поддержана той самой инновационной технологией Xtacking. Конечно, называть стартапом предприятие с многомиллиардным бюджетом ― это явно недооценивать компанию, но, будем честными, YMTC пока не выпускает продукцию в массовом объёме.

0. Как следует из свежих сообщений, на днях на форуме GSA Memory+ технический директор Yangtze Memory Тан Дзян (Tang Jiang) признался, что в августе будет представлена технология Xtacking 2. Как показывает прошлая практика, компания хранит секрет до конца и раньше начала Flash Memory Summit 2019 мы вряд ли узнаем о Xtacking 2. Увы, технический глава компании не поделился подробностями новой разработки, поэтому мы вынуждены ждать августа. 0 что-то интересное.

Это скорость интерфейса чипов флеш-памяти, увеличение плотности записи и скорость вывода на рынок новых продуктов. Что касается самой технологии Xtacking, то её целью стали три момента, которые оказывают решающее влияние на производство 3D NAND и продуктов на её основе. 1 и ToggleDDR) до 3 Гбит/с. Технология Xtacking позволяет поднять скорость обмена с массивом памяти в чипах 3D NAND с 1–1,4 Гбит/с (интерфейсы ONFi 4. По мере роста ёмкости чипов требования к скорости обмена будут расти, и на этом направлении китайцы надеются первыми совершить прорыв.

Эти цепи отбирают у массивов памяти от 20 % до 30 % полезной площади, а у 128-Гбит чипов отберут и вовсе 50 % поверхности кристалла. Для роста плотности записи есть другая преграда ― присутствие на кристалле 3D NAND не только массива памяти, но также периферийных управляющих и питающих цепей. Кристалл полностью отдаётся под ячейки памяти, а цепи управления на завершающем этапе сборки чипа присоединяются к кристаллу с памятью. В случае технологии Xtacking массив памяти выпускается на своём кристалле, а цепи управления на другом.

«Китайская память» 3D NAND состоит из двух отдельных кристаллов с интерфейсом и массивом памяти

«Китайская память» 3D NAND состоит из двух отдельных кристаллов с интерфейсом и массивом памяти

Подобный подход позволяет сократить разработку заказных чипов памяти на срок не менее 3 месяцев из общего времени на разработку от 12 до 18 месяцев. Раздельное производство и последующая сборка позволяют также ускорять разработку заказных чипов памяти и специальных продуктов, которые как из кубиков собираются в нужном сочетании. Большая гибкость ― выше интерес клиентов, в которых молодой китайский производитель нуждается как в воздухе.

Теги
Показать больше

Похожие статьи

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Кнопка «Наверх»
Закрыть